4H-SiC晶体中Vsi本征缺陷研究

• 作者: 张义门 张玉明 程萍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 本征缺陷 第一性原理 形成能 4H-SiC
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 1011-1014
• 页数: 4页
• 分类号: O77
• 字数: 2211字
• 语种: 中文

摘要

采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和Vsi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷Vsi向稳定型本征缺陷Vc-C转化的理论依据及转化方式,首先发生转移的是h晶格位置上的Si原子,与非故意掺杂4H-SiC外延材料在氙光激励作用下的ESR结果吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门		129	835	15.0	21.0
2	张玉明		126	777	15.0	20.0
3	程萍		12	12	2.0	2.0