非故意掺杂4H-SiC外延材料本征缺陷的热稳定性

• 作者: 张义门 张玉明 王悦湖 程萍 郭辉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高温退火 本征缺陷 电子顺磁共振谱 光致发光
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 3542-3546
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用电子顺磁共振(ESR)和低温光致发光(PL)技术,研究了退火温度对低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的非故意掺杂4H-SiC材料中本征缺陷稳定性的影响.结果发现,当退火时间为10 min和30 min时,本征缺陷浓度均随着退火温度的升高而增大,当退火温度达到1573 K时材料中本征缺陷浓度达到最大,继续升高退火温度将使材料中本征缺陷浓度迅速降低.退火温度对材料中本征缺陷的影响主要是由于退火中本征缺陷的稳定化过程及本征缺陷之间发生强烈的相互作用引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	王悦湖	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	10	20	2.0	4.0
4	郭辉	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	21	161	9.0	12.0
5	程萍	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	11	2.0	3.0