用碳饱和硅熔体制备的3C-SiC薄片及其光致发光

• 作者: 卢刚 封先锋 杭联茂 陈治明 雷天民 马剑平
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 熔体 3C-SiC 薄片 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 535-537
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1711字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2001.04.029

摘要

将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约0.5 mm的SiC多晶薄片.X射线衍射(XRD)、Raman散射等分析表明所制备样品为3C-SiC多晶体.采用He-Cd激光325 nm线在不同温度下对实现样品进行了光致发光(PL)测试分析.PL实验结果表明随着温度的变化,PL发光中心发生蓝移,其中心由2.13 eV移至2.39 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	杭联茂	西安理工大学电子工程系	3	0	0.0	0.0
3	马剑平	西安理工大学电子工程系	19	114	7.0	10.0
4	卢刚	西安理工大学电子工程系	16	38	3.0	5.0
5	雷天民	西安理工大学电子工程系	17	78	5.0	8.0
6	封先锋	西安理工大学电子工程系	22	106	7.0	9.0