蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性

• 作者: 冯震 张志国 李丽 杨克武 杨瑞霞 王勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HFET 隔离 整流特性 退火 输出功率
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1255-1258
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.3
• 字数: 2176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.020

摘要

通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN HFET制备工艺,得到提高器件输出功率的优化工艺,采用这一工艺制备的蓝宝石衬底总栅宽为1mm,器件在频率为8GHz时输出功率达到4.57W,功率附加效率为55.1%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	杨克武	河北工业大学信息工程学院	26	186	6.0	13.0
6	冯震	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	32	3.0	5.0
7	王勇	中国电子科技集团公司第十三研究所	53	98	6.0	7.0
8	张志国	河北工业大学信息工程学院	17	48	5.0	5.0
10	李丽	河北工业大学信息工程学院	15	50	5.0	6.0