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蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性
蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性
作者:
冯震
张志国
李丽
杨克武
杨瑞霞
王勇
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
AlGaN/GaN
HFET
隔离
整流特性
退火
输出功率
摘要:
通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN HFET制备工艺,得到提高器件输出功率的优化工艺,采用这一工艺制备的蓝宝石衬底总栅宽为1mm,器件在频率为8GHz时输出功率达到4.57W,功率附加效率为55.1%.
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化学机械抛光
表面质量
工艺优化
AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
AlGaN/GaN HEMT
低温特性
饱和漏极电流
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内容分析
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篇名
蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
AlGaN/GaN
HFET
隔离
整流特性
退火
输出功率
年,卷(期)
2006,(7)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1255-1258
页数
4页
分类号
TN304.3
字数
2176字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.020
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨瑞霞
河北工业大学信息工程学院
180
759
13.0
18.0
2
杨克武
河北工业大学信息工程学院
26
186
6.0
13.0
6
冯震
中国电子科技集团公司第十三研究所
12
32
3.0
5.0
7
王勇
中国电子科技集团公司第十三研究所
53
98
6.0
7.0
8
张志国
河北工业大学信息工程学院
17
48
5.0
5.0
10
李丽
河北工业大学信息工程学院
15
50
5.0
6.0
传播情况
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引文网络
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节点文献
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同被引文献
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参考文献(1)
二级参考文献(1)
2000(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
2001(2)
参考文献(0)
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参考文献(1)
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参考文献(1)
二级参考文献(3)
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参考文献(2)
二级参考文献(1)
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二级引证文献(1)
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引证文献(0)
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二级引证文献(2)
2010(2)
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HFET
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整流特性
退火
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研究来源
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研究去脉
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半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
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