凹栅AlGaN/GaN HFET

• 作者: 冯志红 冯震 张志国 杨克武 杨梦丽 蔡树军 默江辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HFET 凹栅 高电压 高功率密度
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1420-1423
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1994字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.018

摘要

研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小到1.7,栅极漏电减小一个数量级.在频率为8GHz时,负载牵引系统测试显示,当工作电压增加到40V,输出功率密度达到11.74W/mm.