三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

• 作者: 何焱 冯士维 吕长志 张小玲 张浩 徐立国 曾庆明 李效白 王东凤 袁明文 谢雪松
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HFET 倒置结构 双异质结
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 155-157
• 页数: 3页
• 分类号: TN325
• 字数: 1736字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.041

摘要

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.