采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

• 作者: 刘新宇 刘键 吴德馨 周钧铭 和致经 王晓亮 邵刚 陈宏 陈晓娟 魏珂
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN GaN SiO2 MOS-HFET
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 479-481
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.005

摘要

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50 nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS-HFET器件栅长1 μm,栅宽80 μm,测得最大饱和输出电流为784 mA/mm,最大跨导为44.25 ms/mm,最高栅偏压+6 V.