Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究

• 作者: 冯倩 岳远征 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Al2O3 ALD GaN MOSHEMT
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1886-1890
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.03.098

摘要

在研制AlGaN/GaN HEMT器件的基础上,采用ALD法制备了Al2O3 AlGaN/GaN MOSHEMT器件.通过X射线光电子能谱测试表明在AlGaN/GaN异质结材料上成功淀积了Al2O3薄膜.根据对HEMT和MOSHEMT器件肖特基电容、器件输出以及转移特性的测试进行分析发现:所制备的Al2O3,薄膜与AlGaN外延层间界面态密度较小,因而MOSHEMT器件呈现出较好的栅控性能;其次,该器件的栅压可以加至+3 V,此时的最大饱和电流达到800 mA/mm,远远高于肖特基栅HEMT器件的最大输出电流;而且栅漏反偏状态下的泄漏电流却减小了两个数量级,提高了器件的击穿电压,通过进一步分析认为泄漏电流主要来源于Fowler-Nordheim隧穿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳远征	西安电子科技大学微电子研究所	5	15	3.0	3.0
2	冯倩	西安电子科技大学微电子研究所	35	224	7.0	13.0
3	郝跃		9	37	4.0	5.0