基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
采用电子束蒸发、射频磁控溅射、等离子喷涂等方法,在镍基高温合金基底上制备 YSZ(质量分数12%Y2O3稳定的 ZrO2)、Al2O3复合薄膜结构绝缘层,并研究了复合薄膜结构绝缘层在室温到800℃范围内的绝缘特性,以及高温对复合薄膜晶体结构和表面形貌的影响。结果表明:晶态 YSZ/非晶态 YSZ/Al2O3结构绝缘层在室温下的绝缘电阻大于1.2 GΩ,在800℃大气环境下有150 kΩ左右的绝缘电阻。在室温到800℃范围内,随温度升高其绝缘电阻呈近指数下降的变化规律。经过在800℃大气环境中热处理8 h,YSZ的立方相结构未发生改变,Al2O3表面十分致密,表明该复合结构绝缘层薄膜具有良好的高温绝缘性能和稳定性。
推荐文章
YSZ/Al2O3/YSZ多层陶瓷叠层制备方法的研究
YSZ/Al2O3/YSZ多层陶瓷
叠层
共烧结
分层
压力喷涂法制备YSZ/ZTA/Al2O3层状复合材料
YSZ/ZTA/Al2O3
压力喷涂
三乙醇胺
抗热震性
低温反应溅射Al+α-Al2O3复合靶沉积α-Al2O3薄膜
α-Al2O3
反应溅射
复合靶
低温沉积
纳米压痕
Al2O3掺杂对YSZ固体电解质烧结及电性能的影响
氧化锆
Al2O3
氧离子空穴
空间电荷层
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 YSZ/Al2O3复合薄膜高温绝缘层的研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 物理学
关键词 磁控溅射 电子束蒸发 Al2O3 YSZ 复合薄膜结构 高温绝缘
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 13-16
页数 4页 分类号 O484.4+2
字数 3366字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.02.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒋洪川 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 74 586 12.0 19.0
2 张万里 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 142 705 13.0 17.0
3 蒋书文 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 30 197 7.0 12.0
4 张洁 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 12 46 3.0 6.0
5 杨晓东 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 3 10 3.0 3.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (21)
共引文献  (10)
参考文献  (6)
节点文献
引证文献  (3)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1964(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1993(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
1994(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1996(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
1997(6)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(6)
1998(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
1999(4)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(2)
2001(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2002(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2003(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
2005(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2006(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2011(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2015(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2015(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2016(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2020(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
磁控溅射
电子束蒸发
Al2O3
YSZ
复合薄膜结构
高温绝缘
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
论文1v1指导