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YSZ/Al2O3复合薄膜高温绝缘层的研究
YSZ/Al2O3复合薄膜高温绝缘层的研究
作者:
张万里
张洁
杨晓东
蒋书文
蒋洪川
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
磁控溅射
电子束蒸发
Al2O3
YSZ
复合薄膜结构
高温绝缘
摘要:
采用电子束蒸发、射频磁控溅射、等离子喷涂等方法,在镍基高温合金基底上制备 YSZ(质量分数12%Y2O3稳定的 ZrO2)、Al2O3复合薄膜结构绝缘层,并研究了复合薄膜结构绝缘层在室温到800℃范围内的绝缘特性,以及高温对复合薄膜晶体结构和表面形貌的影响。结果表明:晶态 YSZ/非晶态 YSZ/Al2O3结构绝缘层在室温下的绝缘电阻大于1.2 GΩ,在800℃大气环境下有150 kΩ左右的绝缘电阻。在室温到800℃范围内,随温度升高其绝缘电阻呈近指数下降的变化规律。经过在800℃大气环境中热处理8 h,YSZ的立方相结构未发生改变,Al2O3表面十分致密,表明该复合结构绝缘层薄膜具有良好的高温绝缘性能和稳定性。
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相关文献总数
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文献信息
篇名
YSZ/Al2O3复合薄膜高温绝缘层的研究
来源期刊
电子元件与材料
学科
物理学
关键词
磁控溅射
电子束蒸发
Al2O3
YSZ
复合薄膜结构
高温绝缘
年,卷(期)
2015,(2)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
13-16
页数
4页
分类号
O484.4+2
字数
3366字
语种
中文
DOI
10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.02.003
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
蒋洪川
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
74
586
12.0
19.0
2
张万里
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
142
705
13.0
17.0
3
蒋书文
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
30
197
7.0
12.0
4
张洁
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
12
46
3.0
6.0
5
杨晓东
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
3
10
3.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(21)
共引文献
(10)
参考文献
(6)
节点文献
引证文献
(3)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
1964(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1993(3)
参考文献(0)
二级参考文献(3)
1994(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1996(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
1997(6)
参考文献(0)
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1998(2)
参考文献(0)
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1999(4)
参考文献(2)
二级参考文献(2)
2001(1)
参考文献(1)
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参考文献(1)
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参考文献(0)
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2006(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
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参考文献(2)
二级参考文献(0)
2015(1)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2015(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2016(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2020(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
磁控溅射
电子束蒸发
Al2O3
YSZ
复合薄膜结构
高温绝缘
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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电子元件与材料2015年第7期
电子元件与材料2015年第6期
电子元件与材料2015年第5期
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