等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理

• 作者: 刘新宇 刘键 和致经 庞磊 李诚瞻 郑英奎 黄俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体刻蚀 凹栅槽 栅电流 N空位
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1777-1781
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 3114字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.021

摘要

对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构AlGaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构AIGaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析AlGaN表面,等离子体干法刻蚀增加了AlGaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与AlGaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使AlGaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与AlGaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,AlGaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	刘键	中国科学院微电子研究所	28	152	8.0	11.0
3	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
4	郑英奎	中国科学院微电子研究所	15	43	4.0	6.0
5	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0
6	庞磊	中国科学院微电子研究所	4	13	2.0	3.0
7	黄俊	中国科学院微电子研究所	19	76	5.0	8.0