量子阱层和垒层具有不同 Al 组分的270/290/330 nm AlGaN 基深紫外 LED 光电性能

• 作者: 叶煊超 王福学
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN 深紫外 发光二极管 数值模拟
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: ?器件制备及器件物理?
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 3330字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173801.0057

摘要

为了研究 AlGaN 量子阱层和垒层中 Al 组分不同对 AlGaN 基深紫外发光二极管(LED)光电性能的影响,本文利用 MOCVD 生长、光刻和干法刻蚀工艺制备了 AlGaN 量子阱层和垒层具有不同 Al 组分的270／290／330 nm 深紫外 LED,通过实验和数值模拟计算方法发现,量子阱层和垒层中具有低 Al 组分紫外 LED 的 Al-GaN 材料具有较低的位错密度、较高的光输出功率和外量子效率。通过电流-电压(I-V)曲线拟合出的较大的理想因子(>3.5)和能带结构图表明,AlGaN 深紫外 LED 的电流产生是隧穿机制占据主导作用,这是因为高Al 组分 AlGaN 量子阱中强极化场造成了有源层区域较大的能带弯曲和电势降。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王福学	无锡职业技术学院汽车与交通学院	2	2	1.0	1.0
2	叶煊超	江南大学理学院	1	2	1.0	1.0