裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响

• 作者: 张萌 江风益 汪延明 熊传兵 熊贻婧 王光绪 肖宗湖
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si衬底 InGaN/GaN LED 裂纹 应力
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 895-899
• 分类号: O484
• 字数: 3223字
• 语种: 中文

摘要

本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响.XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放.随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大.PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移.