石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究

• 作者: 周浩 徐俞 徐科 曹冰 王钦华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 石墨烯 AlN 晶体取向
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 794-798
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 1412字
• 语种: 中文

摘要

本文研究了在石墨烯上生长GaN薄膜时晶体取向的变化.采用AlN成核层辅助生长,GaN由取向相差较大的小晶粒,逐渐合并为与石墨烯取向一致的晶粒,最终形成了约4.6μm厚的GaN薄膜.通过EBSD和XRD证实了GaN晶体取向一致性的提高,拉曼光谱也表明GaN晶体的高质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐科	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	26	91	5.0	9.0
2	周浩	苏州大学光电科学与工程学院	6	0	0.0	0.0
4	曹冰	苏州大学光电科学与工程学院	4	1	1.0	1.0
6	徐俞	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	2	0	0.0	0.0