AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究

• 作者: 冯倩 岳远征 张进城 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 钝化 电流崩塌
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 125-128
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 582字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2008.01.024

摘要

通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究.AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得.文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化,钝化后直流电流崩塌明显减少,仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获.传输线模型测量表明,钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	岳远征	西安电子科技大学微电子学院	5	15	3.0	3.0
3	张进城	西安电子科技大学微电子学院	52	301	9.0	14.0
4	冯倩	西安电子科技大学微电子学院	35	224	7.0	13.0