Si(100)衬底上PLD法制备高取向度AlN薄膜

• 作者: 张霞 李效民 陈同来
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积 AlN薄膜 缓冲层
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 419-424
• 页数: 6页
• 分类号: O482
• 字数: 3345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.02.025

摘要

采用脉冲激光沉积法(PLD),以KrF准分子为脉冲激光源,Si(100)为衬底,同时引入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N,制备了结晶质量优异的AlN薄膜,X射线衍射(XRD)及反射式高能电子衍射(RHEED)分析表明AlN薄膜呈(001)取向、二维层状生长.研究发现,薄膜的生长模式依赖于缓冲层种类,直接在Si衬底上或MgO/Si衬底上的AlN薄膜呈三维岛状生长;而同时引入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N时,AlN薄膜呈二维层状生长.此外,激光能量密度大小对AlN薄膜的结晶性有显著的影响,激光能量密度过大,薄膜表面粗糙,有颗粒状沉积物生成.在氮气气氛中沉积,能使薄膜的取向由(001)改变为(100).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张霞	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	109	2111	26.0	41.0
2	李效民	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	24	197	10.0	13.0
3	陈同来	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	3	34	2.0	3.0