PLD法制备高取向透明KTa0.65Nb0.35O3/SiO2(100)薄膜性能研究

• 作者: 张端明 彭晓峰 王晓东
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: PLD技术 KTN薄膜 石英单晶
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1222-1228
• 页数: 7页
• 分类号: TB43
• 字数: 4625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.032

摘要

用PLD技术结合后期退火,在透明石英单晶(100)上制备了高取向的纯钙钛矿相KTN薄膜.对薄膜的光学、电学性能分析表明,薄膜铁电居里温度为15℃,矫顽场7.32kV/cm,剩余极化强度9.25μC/cm2,折射率在波长1.2μm处为1.776,厚度968nm,沉积速率约为0.027nm/脉冲.I-V特性表明,低电场强度下,I-V服从欧姆定律,高电场强度下,I-V服从平方关系,可用空间电荷限制电流(SCLC)模型解释.薄膜漏电流在0～5V内低于250μA/mm2,具有良好的电学性能,C-F测试表明,低频电容色散大,高频色散小,在室温10kHz时介电常数为12600.介电损耗tanδ为0.04.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭晓峰	清华大学热能工程系	163	2405	25.0	41.0
2	张端明	华中科技大学物理系	44	322	10.0	16.0
3	王晓东	清华大学热能工程系	30	651	12.0	25.0