PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析

• 作者: 何建廷 宿元斌 杨淑连 魏芹芹
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: XPS ZnO 脉冲激光沉积 氧分压 化学计量比 峰面积 结合能
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 29-31,34
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.08.008

摘要

在不同氧分压下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜,对薄膜进行了X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析,研究了氧分压对所制薄膜结晶质量的影响.结果表明,当氧分压为0.13 Pa时,Zn 2p和O1s态电子的结合能较大.随着氧分压的增加,Zn 2p和O1s态电子的结合能变小,说明更多的Zn原子和O原子产生了结合.氧分压为6.50 Pa时,所制ZnO薄膜的XRD衍射峰半高宽最小,其Zn、O粒子数比最接近化学计量比,说明在此氧分压下生长的ZnO薄膜结晶质量最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨淑连	山东理工大学电气与电子工程学院	47	198	8.0	10.0
2	何建廷	山东理工大学电气与电子工程学院	13	57	5.0	7.0
3	宿元斌	山东理工大学电气与电子工程学院	42	106	7.0	9.0
4	魏芹芹	山东理工大学电气与电子工程学院	16	61	5.0	7.0