PLD法生长高质量ZnO薄膜及其光电导特性研究

• 作者: 于伟东 李效民 赵俊亮 边继明
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 脉冲激光沉积 光电导紫外探测器 光电响应机理
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 701-706
• 页数: 6页
• 分类号: TN957
• 字数: 3250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.030

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加,ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善.优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料,利用剥离(lift-off)技术制备了MSM结构ZnO光电导型紫外探测器.紫外光照射前后的I-V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象,分析了其光电响应机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李效民	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	24	197	10.0	13.0
2	边继明	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	2	34	2.0	2.0
6	于伟东	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	18	118	7.0	10.0
7	赵俊亮	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	1	11	1.0	1.0