氧分压对磁控溅射ZnO薄膜生长行为和光学特性的影响

• 作者: 刘明 张庆瑜 曲盛薇 谷建峰 马春雨 魏玮
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 反应磁控溅射 形貌分析 光学特性
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1096-1100
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3849字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.002

摘要

采用反应射频磁控溅射方法,在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射,透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术,研究了氧分压对薄膜的表面形貌和光学特性的影响.研究结果显示:0.04～0.23Pa的氧分压范围内,ZnO薄膜存在三个不同的生长模式,薄膜生长模式转变的临界氧分压分别位于0.04～0.08Pa和0.16～0.19Pa之间;在0.16Pa以下时,ZnO薄膜的表面岛呈+c取向的竹笋状生长;当氧分压＞0.19Pa时,薄膜的表面岛以-c取向生长为主;ZnO薄膜的折射率,光学带隙宽度以及PL光谱强度均随着氧分压的增大而增大,氧分压为0.19Pa时,薄膜的发光峰最窄,其半峰宽为88meV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	45	494	12.0	20.0
2	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	92	897	16.0	25.0
3	马春雨	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	22	178	8.0	12.0
4	谷建峰	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	9	123	6.0	9.0
5	魏玮	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
6	曲盛薇	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	3	23	2.0	3.0