PZT铁电薄膜的印迹研究

• 作者: 刘敬松 张树人 彭家根 杨成韬 田召明 陈富贵
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 锆钛酸铅铁电薄膜 印迹 矫顽电压 界面层
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 40-42
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.9
• 字数: 2213字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.05.013

摘要

印迹(Imprint)是造成铁电存储器失效的一个重要因素,通过分析不同厚度的PZT薄膜电容的界面层后认为,造成印迹的原因是上下电极与铁电薄膜之间界面层厚度的不同,导致了铁电薄膜表面极化钉扎状态的差异.矫顽电压偏移量对铁电薄膜的厚度依赖性,以及矫顽电压的偏移量随时间变化规律,很好地证实了笔者的设想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张树人	电子科技大学微电子与固体电子学院	187	1176	16.0	24.0
2	杨成韬	电子科技大学微电子与固体电子学院	67	255	8.0	12.0
3	陈富贵	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	15	3.0	3.0
4	刘敬松	电子科技大学微电子与固体电子学院	11	108	5.0	10.0
5	彭家根	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	5	1.0	2.0
6	田召明	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	3	1.0	1.0