BNT铁电薄膜电容的制备及其特性研究

• 作者: 李兴教 王宁章
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 铁电薄膜 BNT 剩余极化 脉冲激光淀积
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.07.012

摘要

用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4-xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0.80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr),在应用电压为10 V时,Pr及Ec分别达到27×10-6C/cm2和70×103V/cm.在1 MHz时,Au/BNT/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到1010后表现出较好的抗疲劳特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宁章	广西大学计算机与电子信息学院	34	162	6.0	11.0
3	李兴教	华中科技大学电子系	11	64	4.0	7.0