衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响

• 作者: 刘桥 王忠良
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 AlN压电薄膜 反应磁控溅射 择优取向
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 1953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.07.014

摘要

采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜.XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al-N0键断裂,仅出现(100)衍射峰.AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,Z轴最高突起仅为23 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘桥		111	627	14.0	20.0
2	王忠良		2	36	2.0	2.0