Sr引起的(Co,Ta)掺杂SnO2压敏陶瓷的晶粒尺寸效应

• 作者: 王春明 王矜奉 臧国忠 苏文斌 陈洪存
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 碳酸锶 二氧化锡 压敏电阻 电学性质
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN379
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.07.001

摘要

研究了SrCO3对(Co, Ta)掺杂的SnO2压敏陶瓷的微观结构和电学性质的影响.当x(SrCO3)从0增加到2.5%,该SnO2压敏陶瓷的压敏临界电场强度从318 V/mm猛增到3 624 V/mm,而相对介电常数从1509大幅降至69.当x(SrCO3)为2.0%时,样品的压敏电场和非线性系数分别为2 204 V/mm和24;添加x(SrCO3)为2.5%的样品的压敏电场和非线性系数分别为3 624V/mm和22.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王矜奉	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	64	562	13.0	20.0
2	陈洪存	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	40	335	12.0	15.0
3	王春明	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	14	140	7.0	11.0
4	苏文斌	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	27	203	10.0	13.0
5	臧国忠	山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室	16	145	8.0	11.0