TiO2掺杂导致的SnO2压敏陶瓷晶粒尺寸效应

• 作者: 明保全 王矜奉 臧国忠 苏文斌 陈洪存 高建鲁
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏材料 二氧化锡 电学性能 晶粒尺寸 缺陷势垒模型
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 敏感元器件
• 页码范围: 20-22,27
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.43
• 字数: 2352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.06.008

摘要

研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响.掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(p=6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB=476 V/mm),最高的非线性系数(α=11.0),最小的相对介电常数.未掺杂的样品阻抗最大.随TiO2掺杂量的增加晶粒逐渐变小,晶粒尺寸的减小归因于未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的TiO2阻碍相邻SnO2晶粒融合.为了解释SnO2-Co2O3-Nb2O5-TiO2系电学非线性性质的根源,对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王矜奉	山东大学物理与微电子学院	64	562	13.0	20.0
2	陈洪存	山东大学物理与微电子学院	40	335	12.0	15.0
3	明保全	山东大学物理与微电子学院	5	85	5.0	5.0
4	苏文斌	山东大学物理与微电子学院	27	203	10.0	13.0
5	臧国忠	山东大学物理与微电子学院	16	145	8.0	11.0
6	高建鲁		5	37	5.0	5.0