CeO2掺杂引起SnO2压敏电阻的晶粒尺寸效应

• 作者: 滕树新 王矜奉 臧国忠 苏文斌 陈洪存 高建鲁
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏材料 二氧化锡 电学性能 缺陷势垒模型
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 敏感元器件
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN379
• 字数: 2354字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.11.008

摘要

研究了掺CeO2对SnO2·Co2O3·Ta2O5压敏电阻器性能的影响.研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 μm减小到6.23 μm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长.为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2·Co2O3·Ta2O5·CeO2晶界缺陷势垒模型.同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王矜奉	山东大学物理与微电子学院	64	562	13.0	20.0
2	陈洪存	山东大学物理与微电子学院	40	335	12.0	15.0
3	苏文斌	山东大学物理与微电子学院	27	203	10.0	13.0
4	臧国忠	山东大学物理与微电子学院	16	145	8.0	11.0
5	高建鲁		5	37	5.0	5.0
6	滕树新	山东大学物理与微电子学院	1	13	1.0	1.0