电子元件与材料期刊
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758

电子元件与材料

Electronic Components & Materials

CACSCDJSTSACSTPCD

影响因子 0.4379
本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果,报道科学技术和行业发展的动态,介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性,深受广大读者好评;一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊;被CA和IEE INSPEC全文收录;系中国科学引文数据库来源期刊,系中国科技论文统计源期刊。
主办单位:
中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉:
第二届国家期刊奖百种重点期刊(2003年)  
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
出版周期:
月刊
邮编:
610051
地址:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
文章浏览
目录
  • 作者: 余增亮 刘伟 刘锦淮 焦正
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  1-2
    摘要: 采用化学共沉淀法制备了稀土氧化物CeO2纳米粉末材料,并用XRD、SEM和TEM对其结构特性进行了表征.分析结果表明,化学共沉淀法制备的CeO2纳米粉末颗粒细小均匀,形状完整,CeO2粉末粒...
  • 作者: 蔡荣阳 薛仲景 许良 陈强 韩钰彦
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  3-5,10
    摘要: 以一种TV用压电陶瓷滤波器的片式化过程为重点,介绍了压电元件片式化的思路及工艺.利用压电陶瓷的厚度能陷切变振动原理,采用新的结构与工艺,对原TV用压电陶瓷滤波器进行片式化.制作出的片式压电陶...
  • 作者: 杨田林 韩圣浩 高绪团
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  6-10
    摘要: 用磁控溅射工艺,在柔性衬底上,在不同直流偏压条件下,制备了ITO(氧化铟锡)透明导电膜.最佳直流负偏压为40 V,此时制备的薄膜,其自由载流子霍耳迁移率有最大值为89.3 cm2/(V·s)...
  • 作者: 张树人 杨成韬 杨邦朝 陈祝
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  11-13,16
    摘要: 氧吸收或氧化对金属电阻膜、合金电阻膜及金属陶瓷膜的影响及作用机理差别很大.淀积不同厚度的铅锡碲合金膜暴露在氧气或大气中, 其电阻随时间发生明显的变化,电阻的变化是随着膜厚的增加、基片温度的增...
  • 作者: 刘学建 蒲锡鹏 黄智勇 黄莉萍
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  14-16
    摘要: 通过傅立叶红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)研究了SiH4-NH3-N2体系在不同气体原料比情况下,低压化学气相沉积(LPCVD)SiNx薄膜的化学组成,利用原子力显微镜观察了Si...
  • 作者: 周孑民 张家元 李长庚
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  17-19
    摘要: 开发了一个电子系统封装(SIP)典型器件的传热模型,用数值方法模拟了器件的热传递过程和温度分布状况,探讨了各种设计参数和物性参数对温度场的影响.计算结果表明:当( = 1 400 s,以LC...
  • 作者: 丘泰 李晓云 沈春英 荣华
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  20-22
    摘要: 以硼酸和三聚氰胺为原料,采用湿化学法合成先驱体,在氮气气氛中制备出氮化硼(BN)纤维.用中和滴定法、红外吸收光谱(IR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对合成的先驱体及制得的BN纤...
  • 作者:
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  22-22
    摘要:
  • 作者: 尧巍华 庄严 张中太 李红耘 熊西周 罗绍华
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  23-25
    摘要: 在x(CeO2)为0~1.5%的范围内改变其掺杂浓度,研究了CeO2添加剂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响.电性能测量和扫描电镜观察的结果表明:在Nb-TiO2系压敏陶瓷中,CeO2的主要作用...
  • 作者: 刘心宇 成钧 陈国华
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  30-32
    摘要: 采用X射线衍射仪(XRD)、差热分析(DTA)手段详细研究了由氧化物粉末制备硅灰石陶瓷时,机械力化学作用及后续热处理对硅灰石陶瓷相组成和相变过程的影响,分析了机械力化学在球磨过程中的作用机理...
  • 作者: 于家宁 周啸 杨红生 楚红军
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  33-38
    摘要: 综述了导电高分子钽电解电容器的最新研究进展.比较了导电高分子钽电解电容器和二氧化锰钽电解电容器在结构、制造工艺和性能方面的差别.还介绍了聚吡咯(PPy)、聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)和聚苯胺...
  • 作者: 云振新
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  39-41
    摘要: 介绍了RF SOI CMOS技术的特点.着重论述了RF SOI CMOS技术的低串扰特性、低损耗特性及其优质无源元件的性能.最后,阐述了RF SOI CMOS技术在RF系统片上集成方面的应用...
  • 作者: 王兰义
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  42-45
    摘要: 基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用,介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO-Bi2O3系、ZnO-玻璃系、ZnO-V2O5系及ZnO-Pr6O11系...
  • 作者: 李双龙
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  46-48
    摘要: 介绍了Z900 MCM设计和布局,可控塌陷芯片连接(C4)工艺在Z900 MCM组装中的应用.从设计上通过加入垂直电感器及去耦电容器减小其噪声.通过基板测试和功能测试,剔除有缺陷的基板和芯片...
  • 作者: 安福全
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  49-50
    摘要: 通过对ZnO压敏电阻器试验结果的分析,探讨其在稳态湿热试验中引起性能变化的因素,提出要提高产品的耐湿性能,必须在包封料选择和瓷体制作工艺上加以改进.
  • 作者: 王玉华
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  51-52,54
    摘要: 电容量衰减现象在铝电解电容器生产过程中普遍存在,只是原因各不相同.电容量衰减易造成产品电容量分布不均匀、电容量合格率低,严重时会造成产品接触不良,导致无电容量,产品失效率上升,给铝电解电容器...
  • 作者: 孙风利
    发表期刊: 2003年7期
    页码:  53-54
    摘要: 金属化电容器端面喷金质量对电容器主要电性能指标--tgδ,起着决定性的影响.分析了影响金属化电容器端面喷金质量的因素,介绍了提高金属化电容器端面喷金质量的方法及如何检查金属化电容器端面喷金质...

电子元件与材料基本信息

刊名 电子元件与材料 主编 钟彩霞
曾用名
主办单位 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1001-2028 CN 51-1241/TN
邮编 610051 电子邮箱 journalecm@163.com/zhubei5148@163.com
电话 028-84391569 网址 www.cnelecom.net
地址 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

电子元件与材料评价信息

期刊荣誉
1. 第二届国家期刊奖百种重点期刊(2003年)

电子元件与材料统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊