溅射偏压对柔性衬底ITO薄膜结构和光电特性的影响

• 作者: 杨田林 韩圣浩 高绪团
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 溅射偏压 ITO薄膜 光电特性 共振吸收
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TK511+.4
• 字数: 4178字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.07.003

摘要

用磁控溅射工艺,在柔性衬底上,在不同直流偏压条件下,制备了ITO(氧化铟锡)透明导电膜.最佳直流负偏压为40 V,此时制备的薄膜,其自由载流子霍耳迁移率有最大值为89.3 cm2/(V·s),薄膜的电阻率有最小值为6.3×10-4Ω·cm,在可见光范围内相对透过率为80%左右.X射线衍射谱表明:薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的c轴具有(222)方向的择优取向,最大晶粒尺寸为55 nm.并重点讨论了薄膜的结构、电学和光学特性与衬底负偏压的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩圣浩	山东大学物理与微电子学院	28	181	8.0	12.0
2	杨田林	山东理工大学物理系	8	75	6.0	8.0
3	高绪团	山东理工大学物理系	8	96	6.0	8.0