衬底偏压对ZnO：Zr薄膜结构及光电性能的影响

• 作者: 张化福
• 来源期刊: 山东理工大学学报：自然科学版
• 学科: 工学
• 关键词: 反应磁控溅射 衬底偏压 Zn0 Zr 薄膜
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 1-3,25
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|TN304.055
• 字数: 2136字
• 语种: 中文

摘要

以Zn：Zr（Zr片贴在金属Zn靶上面）为溅射靶材，利用直流反应磁控溅射法在Ar／O_2混合气氛中制备Zr掺杂ZnO（ZnO：Zr）薄膜．在制备ZnO：Zr薄膜时，衬底偏压在0～60V之间变化．研究结果表明，衬底偏压对薄膜的结构、光学及电学性能有很大影响．当衬底偏压从0增大到60V时，薄膜的平均光学透过率和平均折射率都单调增大，而薄膜的晶粒尺寸先增大后减小．ZnO：Zr薄膜电阻率的变化规律与晶粒尺寸相反．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张化福	山东理工大学理学院	52	292	11.0	13.0