沉积电位对ZnO薄膜结构及光电性能的影响

• 作者: 孙兆奇 宋学萍 张苗 徐凯 杨蕾 石市委
• 来源期刊: 安徽大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 电沉积 沉积电位 禁带宽度 光电性能
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 45-50
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3047字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2013.02.009

摘要

以硝酸锌溶液为电解液,采用电化学沉积方法,在导电玻璃(ITO)上制备ZnO薄膜.使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对制备的ZnO薄膜结构和形貌进行表征,并研究薄膜的光电性能.结果表明,通过该方法制备的ZnO具有标准的六方纤锌矿纳米柱状结构,沉积电位为-0.75、-0.80、-0.85 V时,制备的ZnO纳米柱的直径分别为250、400、500 nm,禁带宽度分别为3.12、3.27、3.29 eV,光电流密度分别为1.18、1.07、0.89 μA·cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋学萍	安徽大学物理与材料科学学院	63	367	10.0	14.0
2	孙兆奇	安徽大学物理与材料科学学院	91	563	11.0	16.0
3	张苗	安徽大学物理与材料科学学院	26	111	7.0	9.0
4	石市委	安徽大学物理与材料科学学院	21	107	6.0	9.0
5	杨蕾	安徽大学物理与材料科学学院	11	133	6.0	11.0
6	徐凯	安徽大学物理与材料科学学院	2	7	1.0	2.0