原子层沉积Sn掺杂ZnO薄膜结构及光电性能的研究

• 作者: 刘正堂 袁海
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Sn掺杂ZnO 原子层沉积 晶体结构 光电性能
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 240-245
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3121字
• 语种: 中文

摘要

采用原子层沉积方法以臭氧为氧源,分别在Si和K-9玻璃衬底沉积Sn掺杂ZnO薄膜.系统研究了Sn掺杂浓度对ZnO薄膜成分、晶体结构及光电性能的影响.XRD分析表明:所制备SnZO薄膜具有垂直于衬底表面的c轴择优取向.XPS分析表明:在ZnO中掺杂离子以Sn4+形式存在.Hall分析表明Sn是一种有效的施主掺杂元素,其通过置换Zn2+位置释放导电电子.当Sn掺杂浓度为1.8at％时,Hall测试表明ZnO薄膜具有最低电阻率为9.5×10-4Ω·cm,载流子浓度达到最高值为3.2×1020 cm-3,进一步增加Sn浓度使得ZnO薄膜电学性能变差.SnZO薄膜在可见光区域的光透过率超过85％,光学带隙值由未掺杂ZnO的3.26 eV增加到5.7at％ Sn掺杂时3.54 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正堂	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	120	749	14.0	21.0
2	袁海	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	2	8	2.0	2.0