Zr掺杂的SnO2瓷的压敏和介电性质

• 作者: 亓鹏 王文新 王春明 王矜奉 臧国忠 苏文斌 赵春华 陈洪存
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化锆 二氧化锡 势垒 电学非线性
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TN379
• 字数: 2024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.04.004

摘要

目前电子陶瓷工艺普遍采用ZrO2球作为磨介.为了弄清ZrO2球磨损对压敏瓷性能的作用,系统研究了ZrO2对(Co,Nb)掺杂SnO2瓷的压敏和介电性质的影响.当ZrO2的含量(摩尔分数)从0.00增加到1.00%时,(Co,Nb)掺杂的SnO2压敏电阻的击穿电压从345 V/mm增大到485 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 590减小到1 120.晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Zr的含量对势垒高度的影响较小.SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Zr掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.