SiO2掺杂对PMS-PZT陶瓷结构和电性能的影响

• 作者: 吕文中 杨桁 汪小红 范桂芬
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 锰锑-锆-钛酸铅 压电陶瓷 二氧化硅掺杂 压电性能
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 2457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.07.010

摘要

对Pb0.98Sr0.02(Mni/3Sb2/3)0.1Zr0.47Ti0.43O3(简称PMS-PZT)+w(SiO2)(0≤w≤0.6%)三元系压电陶瓷材料的微观结构和电性能进行了研究.XRD图谱表明室温下该材料为钙钛矿结构,并随SiO2掺杂物的加入材料由四方相向三方相转变.实验结果表明:当w(SiO2)为0.1%时,在1 300℃,1 h条件下烧结,能获得较好的综合性能:εr为1642,tgδ为0.004 3,kp为0.57,Qm为1 553,d33为325 pC·N-1,可以满足压电电动机和压电变压器等高功率应用方面的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕文中	华中科技大学电子科学与技术系	87	901	15.0	26.0
2	汪小红	华中科技大学电子科学与技术系	28	370	11.0	19.0
3	范桂芬	华中科技大学电子科学与技术系	18	74	5.0	8.0
4	杨桁	华中科技大学电子科学与技术系	2	25	2.0	2.0