电子元器件的贮存可靠性及评价技术

• 作者: 恩云飞 杨丹 黄云
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 贮存可靠性 综述 长期贮存试验 极限应力试验 加速贮存寿命试验
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TN601
• 字数: 4212字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.07.019

摘要

综述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,分析了元器件贮存失效模式及原因,表明减少元器件自身缺陷、改善固有可靠性是提高其贮存可靠性的关键.并从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	恩云飞	信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及应用技术国家级重点实验室	37	304	10.0	14.0
2	黄云	信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及应用技术国家级重点实验室	21	234	10.0	14.0
3	杨丹	信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及应用技术国家级重点实验室	7	88	6.0	7.0