sol-gel纳米晶二氧化锡薄膜的制备及表征

• 作者: 何崇斌 张志勇 王雪文 赵丽丽 闫军锋
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子技术 sol-gel法 纳米晶 二氧化锡 气敏特性
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.07.002

摘要

以SnCl4为原料,采用sol-gel技术,应用间接成胶法,在玻璃片上制备了纳米晶SnO2薄膜及粉体,以其灵敏度、响应时间和工作温度作为评价气敏性能的标准,对制备工艺参数进行了优化,并用DSC-TG、XRD、AFM等手段对样品进行了表征.结果表明,水与乙醇体积比为3:1,草酸与四氯化锡摩尔比为0.3:1,在500℃下退火的薄膜表面平整,平均粒度在20 nm左右,且相应的薄膜元件对丙酮蒸气具有良好的选择性和较高的灵敏度、较短的响应时间和较低的工作温度(≈190℃).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志勇	西北大学电子科学系	98	759	13.0	22.0
2	王雪文	西北大学电子科学系	45	408	11.0	18.0
3	赵丽丽	西北大学电子科学系	23	84	5.0	8.0
4	何崇斌	西北大学电子科学系	8	28	3.0	5.0
5	闫军锋	西北大学电子科学系	19	119	7.0	10.0