温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响

• 作者: 冯团辉 卢景霄 扬仕娥 李瑞 段启亮 王海燕 靳锐敏
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 PECVD法 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 二次晶化
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 41-42
• 页数: 2页
• 分类号: TM914.4+2
• 字数: 1406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.08.014

摘要

为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3 h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好.在450℃下沉积、850℃退火3 h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900 nm左右.