磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究

• 作者: 卢景霄 张丽伟 张宇翔 李瑞 段启亮 王海燕 王红娟 靳锐敏
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 无机非金属材料 AZO薄膜 磁控溅射法 制备气氛 退火温度
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4+2
• 字数: 2174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.08.016

摘要

用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响.结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大.