射频磁控溅射法制备AZO/p-Si异质结及其性能研究

• 作者: 冯晓梅 刘斌 岳之浩 江丰 沈鸿烈 潘园园
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 AZO/p-Si异质结 I-V特性 太阳电池
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 621-624
• 分类号: O475|TN364
• 字数: 2824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.06.005

摘要

利用射频磁控溅射法,在p-Si衬底上生长了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,并进而制备了AZO/p-Si异质结.x射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔效应测试仪测量表明,AZO薄膜具有良好的结晶质量、光学和电学特性.暗态下的I-V测试表明,AZO/p-Si异质结具有较好的整流特性,反向饱和电流为1.29× 10-6A,±2V处的正向和反向电流之比为229.41,计算得出异质结的理想因子为2.28.在标准光照下AZO/p-Si异质结呈现出明显的光生伏特效应,这种异质结太阳电池具有2.51％的光电转换效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘斌	南京航空航天大学材料科学与技术学院	50	2075	20.0	45.0
2	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
3	江丰	南京航空航天大学材料科学与技术学院	17	57	5.0	6.0
4	冯晓梅	南京航空航天大学材料科学与技术学院	15	60	5.0	7.0
5	岳之浩	南京航空航天大学材料科学与技术学院	8	19	3.0	3.0
6	潘园园	南京航空航天大学材料科学与技术学院	4	7	2.0	2.0