磁控溅射法制备金/钆柱腔工艺研究

• 作者: 何智兵 吴卫东 袁光辉 许华 陈志梅
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 金/钆柱腔 磁控溅射 多层膜
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 948-952
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射方法制备金/钆(Au/Gd)多层膜,并研究不同制备参数对多层膜结构与性能的影响.溅射压强高于1 Pa时,Au膜与Gd膜的沉积速率均随溅射压强的增大而下降;在较低溅射气压下,随着溅射气压的降低,金膜与钆膜的均方根粗糙度有所减小;随着溅射功率的减小,金/钆多层膜的周期性结构变好,界面更为清晰.本工作制备了不同原子比的金/钆膜柱腔,探讨了有关柱腔成型的解决方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴卫东	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	140	1087	18.0	26.0
2	许华	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	23	287	9.0	16.0
3	何智兵	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	46	212	7.0	11.0
4	陈志梅	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	11	23	3.0	3.0
5	袁光辉	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	20	125	6.0	10.0