Ga Al In掺杂ZnO电子结构的第一性原理计算

• 作者: 允江妮 张富春 张志勇 邓周虎 阎军锋
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 ZnO 第一性原理 电子结构 掺杂 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 4-7,10
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2|TN7115
• 字数: 4339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.08.002

摘要

计算了Ga、Al、In掺杂ZnO体系电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的结构、能带、电子态密度、差分电荷分布的影响.所有计算,都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法.计算结果表明:在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子(Ga:2.57×1021 cm-3;Al:2.58×1021 cm-3;In:2.53×1021 cm-3),明显提高了体系的电导率.同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张富春	西北大学电子科学系	94	391	10.0	17.0
3	张志勇	西北大学电子科学系	98	759	13.0	22.0
4	邓周虎	西北大学电子科学系	39	330	9.0	16.0
7	阎军锋	西北大学电子科学系	13	290	6.0	13.0
8	允江妮	西北大学电子科学系	3	54	2.0	3.0