Ga掺杂ZnO电子结构和吸收光谱的第一性原理研究

• 作者: 刘建军 陈三
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 电子结构 吸收光谱 Ga掺杂ZnO
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 575-580
• 分类号: O471
• 字数: 3763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2010.03.032

摘要

采用第一性原理的平面渡赝势方法和广义梯度近似,研究了纤锌矿ZnO掺杂Ga前后的电子结构和光学性质.计算结果表明,ZnO中引入杂质Ga后,导带底主要由Ga4s态和Zn4s态构成,并且Ga4s态跨过费米能级,形成n型半导体.计算得到电子浓度为2.42×1021 cm-3,掺Ga有效提高了ZnO的载流子浓度.同时ZnO掺Ga后,ZnO的光学带隙从3.47 eV展宽为4.25 eV,并且在可见光区几乎无吸收,是理想的透明导电材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘建军	淮北师范大学物理与电子信息学院	14	59	4.0	6.0
2	陈三	淮北师范大学物理与电子信息学院	13	47	4.0	6.0