第一性原理计算Ga,O掺杂Ge材料的电子结构

• 作者: 刘华松 季一勤 王利 贺鹏飞
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 电子结构 态密度 Ga掺杂Ge Ga-O共掺杂Ge
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 507-510
• 页数: 4页
• 分类号: O641
• 字数: 1451字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2013.03.027

摘要

利用第一性原理模拟计算了Ga掺杂Ge及Ga、O共掺杂Ge材料的电子结构,对态密度、能带结构进行了分析.结果表明,Ga掺杂Ge材料会使掺杂体系表现为较强的金属性；Ga、O共掺杂会使掺杂体系在低能端出现新的态密度为零区域.通过掺杂能够改变Ge材料的电学和光学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺鹏飞	同济大学航空航天与力学学院	93	897	21.0	25.0
2	王利	同济大学航空航天与力学学院	18	95	7.0	9.0
6	季一勤		3	2	1.0	1.0
7	刘华松		4	3	1.0	1.0