Au/(C/SiO2)/p-Si结构中的电流输运机理研究

• 作者: 张汉谋 马书懿
• 来源期刊: 西北师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 Ⅰ-Ⅴ特性 Schottky发射 Frenkel-Poole发射
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 44-46,52
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3288字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-988X.2006.04.010

摘要

采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜,利用Au/(C/SiO2)/p-Si结构的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,对其电流输运机理进行了分析.结果表明,正向偏压较小时,薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制;正向偏压较大时,薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果.这一结论与样品的EL(electroluminescence)是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马书懿	西北师范大学物理与电子工程学院	69	226	8.0	11.0
2	张汉谋	西北师范大学物理与电子工程学院	7	23	3.0	4.0