p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究

• 作者: 张化福 祁康成 臧永丽 袁玉珍
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: TFT SiN 薄膜 界面特性
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2594字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.008

摘要

以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜.系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性.实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),其界面特性达到了制备高质量p-si TFT栅绝缘层的性能要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	袁玉珍	山东理工大学物理与光电信息技术学院	26	159	7.0	11.0
3	张化福	山东理工大学物理与光电信息技术学院	52	292	11.0	13.0
4	臧永丽	山东理工大学物理与光电信息技术学院	9	48	3.0	6.0