SiNx∶H薄膜沉积条件变更对TFT特性的影响

• 作者: 张金中 李婧 谢振宇 闵泰烨 阎长江 陈旭
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: SiNx∶H界面态 Si/N 开关比 TFT特性
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 器件物理及器件制备技术
• 页码范围: 547-551
• 页数: 5页
• 分类号: O753+.2
• 字数: 2035字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20132804.0547

摘要

利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx∶H和a-Si∶H薄膜.通过电学、光学、力学测试研究了SiNx∶H薄膜沉积条件对其界面性能的影响.研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性.当SiH4和NH3气体流量比值为7∶15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×10 7.适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5 W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力.优化SiNx∶H的沉积参数,开关比可以提高5.5倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈旭		11	41	4.0	5.0
2	闵泰烨		10	33	4.0	4.0
3	谢振宇		12	62	5.0	7.0
4	李婧		2	5	1.0	2.0
5	阎长江		3	10	2.0	3.0
6	张金中		4	13	2.0	3.0