淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响

• 作者: 刘传珍 刘雅言 廖燕平 朱永福 李牧菊 杨柏梁 申德振 袁剑锋
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 化学
• 关键词: 等离子体化学气相沉积 非晶氮化硅薄膜 红外光谱
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 278-283
• 分类号: TN383.4|O657.33
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.1999.04.008

摘要

利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜.分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(Prf)的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、 NH和NH2基团的吸收峰强度的影响, 同时研究了退火条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响.