C+注入a-SiNx:H的原子化学键合的研究

• 作者: 刘渝珍 王小波 董立军 陈大鹏 陈超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: C+注入 SiCN XPS 高温退火
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 415-419
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.018

摘要

常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜进行C+注入,能量为30kev,剂量为2×1017 cm-2.对C+注入的SiNx薄膜在800℃的温度下,进行2h的常规炉退火处理.通过XPS,AES的测量得到,经800℃高温退火处理后的薄膜形成了部分SiCxNy结构.用喇曼、XPS等分析手段对薄膜结构及成分进行了测量与分析,得到不同退火温度对离子注入形成SiCN薄膜结构与成分的影响,认为高温退火后薄膜中硅含量与SiCxNy薄膜的形成有重要的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈超		46	435	13.0	19.0
2	陈大鹏	中国科学院微电子研究所	79	466	10.0	17.0
3	刘渝珍		5	26	2.0	5.0
4	王小波		20	148	6.0	11.0
5	董立军	中国科学院微电子研究所	11	46	4.0	6.0