高速沉积氮化硅薄膜对其化学键及性能的影响

• 作者: 胡文成 谢振宇 邓朝勇 龙春平
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化非晶氮化硅 沉积速率 禁带宽度 介电常数 反射系数
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 26-31
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.006

摘要

采用等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD),源气体为NH3/SiH4/N2的混合气体,在330 ℃的温度下沉积a-SiNx:H薄膜.研究表明在反应气体流量一定的情况下,反应腔气压对薄膜沉积速率影响最大.采用Fourier红外吸收光谱技术分析a-SiNx:H薄膜中化学键结构,随着沉积速率的提高,薄膜的化学键结构发生变化,N-H键含量和氮含量增大,Si-H键含量和氢含量降低.薄膜沉积速率是影响薄膜物理和光学性质的重要工艺参数.禁带宽度(E04)主要受薄膜中氮原子含量的调制,随着沉积速率增大,氮原子含量增大.另外,介电常数和折射系数则随之增大.最后得到满足薄膜晶体管性能要求的最佳工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡文成	电子科技大学微电子与固体电子学院	27	235	9.0	14.0
2	谢振宇	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	62	5.0	7.0
4	龙春平	北京京东方光电科技有限公司工艺开发科	3	55	3.0	3.0
7	邓朝勇	北京京东方光电科技有限公司工艺开发科	2	27	2.0	2.0