射频频率对PECVD沉积氮化硅薄膜性能影响的研究

• 作者: 任远 刘久澄 刘宁炀 刘晓燕 王君君 王巧 陈志涛
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: 氮化硅 PECVD 拉曼光谱 应力
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 171-175
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文

摘要

采用PECVD方法制备氮化硅薄膜,利用椭偏仪和拉曼光谱对沉积薄膜的沉积速率、折射率及应力进行表征.结果表明:低频条件下,氮化硅薄膜的沉积速率和折射率比高频条件下的低;低频和高频条件下沉积的氮化硅膜内应力分别表现为压应力和张应力,而高低频交替沉积时,氮化硅的沉积速率、折射率及应力情况与低频与高频的时间占比相关.通过实验调控PECVD高低频时间的占比,制备出了低应力氮化硅薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志涛		10	29	3.0	4.0
2	刘久澄		5	9	2.0	2.0
3	刘晓燕		4	7	2.0	2.0
4	任远		3	7	2.0	2.0
5	刘宁炀		7	9	2.0	2.0
6	王君君		4	5	2.0	2.0
7	王巧		4	5	2.0	2.0