PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究

• 作者: 吴学忠 李伟东 李圣怡
• 来源期刊: 中国机械工程
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 薄膜 等离子体增强化学气相淀积(PECVD) 原子力显微镜(AFM) 台阶仪
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳加工与测试及封装技术
• 页码范围: 396-398
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 3101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.141

摘要

通过原子力显微镜和台阶仪观察测试PECVD氮化硅薄膜的表面形貌及其在HF缓冲液中的被腐蚀速率,研究了用SiH4和NH3作反应气体时,影响PECVD氮化硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率、被腐蚀速率的几个关键因素,并对一些常用的工艺参数进行了总结.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李圣怡		77	1079	17.0	30.0
2	吴学忠		29	199	7.0	13.0
3	李伟东		1	7	1.0	1.0