PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究

• 作者: 于映 吴清鑫 张春权 杨渭 罗仲梓 陈光红
• 来源期刊: 集美大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 氮化硅 聚酰亚胺 残余应力
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 160-163
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055|O484.2
• 字数: 3118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7405.2005.02.012

摘要

采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜;利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残余应力;讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的残余应力的影响,并把薄膜的残余应力分为热应力和本征应力加以分析,得出适合制作射频MEMS开关器件中的桥式梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗仲梓	厦门大学萨本栋微机电研究中心	15	225	7.0	15.0
2	张春权	厦门大学萨本栋微机电研究中心	6	160	5.0	6.0
3	于映	福州大学物理与信息工程学院	36	343	8.0	17.0
4	陈光红	福州大学物理与信息工程学院	2	74	2.0	2.0
5	吴清鑫	福州大学物理与信息工程学院	3	95	3.0	3.0
6	杨渭	厦门大学萨本栋微机电研究中心	2	21	2.0	2.0